آل ڈائی الیکٹرک گریٹنگ سٹرکچر کلر فلٹر

تصویر 1 آل میڈیا گریٹنگ سٹرکچر کا اسکیمیٹک خاکہ

روایتی رنگوں کے رنگوں کے مقابلے میں، ساختی رنگ میں اعلی ریزولیوشن اور اچھی استحکام کے فوائد ہیں اور یہ نظر آنے والی حد میں رنگ سوئچنگ حاصل کر سکتا ہے۔ پلازما ہائپر سرفیس کے بڑھتے ہوئے نقصان کی وجہ سے، محققین نے ایک اور آل میڈیا ہائپر سرفیس ڈھانچہ تجویز کیا ہے۔ تاہم، شارٹ ویو رینج میں ہائی آرڈر ڈوپول ریزوننس موڈز رنگ سنترپتی کو کم کرتے ہیں۔ حال ہی میں، محققین نے اعلیٰ ترتیب والے ڈوپول طریقوں کو دبانے کے لیے ایک قابل عمل اسکیم تجویز کی ہے۔

چائنیز اکیڈمی آف سائنسز کے چانگچن انسٹی ٹیوٹ آف آپٹیکل پریسیژن مشینری اینڈ فزکس میں پروفیسر جنسونگ گاو کی سربراہی میں ایک تحقیقی گروپ نے ایک تحقیق میں ایک تنگ بینڈوتھ، اعلیٰ معیار کے عنصر، آل ڈائی الیکٹرک گریٹنگ اسٹرکچرڈ کلر فلٹر تجویز کیا ہے۔ آپٹکس ایکسپریس۔

ٹائم ڈومین محدود فرق کے طریقہ کار کو استعمال کرتے ہوئے، محققین نے HfO2 gratings اور SiO2/HfO2 گریٹنگز کا ایک جامع تقابلی مطالعہ کیا۔ انہوں نے پایا کہ SiO2 پرت کے اضافے نے اعلیٰ ترتیب والے ڈوپول طریقوں کے پیدا ہونے کے رجحان کو مؤثر طریقے سے دبایا، اس طرح ساختی رنگ کی سنترپتی کو بہتر بنایا۔ محققین نے مقناطیسی میدان کی تقسیم اور الیکٹرک فیلڈ ویکٹر پلاٹ کے ذریعے اس نتیجے کے جسمانی میکانزم کی وضاحت کی۔ انہوں نے سپیکٹرل پروفائل اور پولرائزیشن سٹیٹ کی حساسیت پر ساختی پیرامیٹرز کے اثرات کو دریافت کیا۔

اس مطالعے کے نتائج کی بنیاد پر، محققین نے ایک آل ڈائی الیکٹرک گریٹنگ ڈیزائن کی۔ گریٹنگ کی چوٹی پر 1 کے قریب عکاسی ہوتی ہے اور غیر گونج والی چوٹی کی پوزیشن پر 99 فیصد سے زیادہ کی ترسیل ہوتی ہے۔ قابل حصول رنگین کوآرڈینیٹس CIE-1931 رنگینیت ڈایاگرام کے ایک بڑے حصے پر قابض ہیں۔ ڈیوٹی سائیکل کو ایڈجسٹ کرکے، محققین نے نصف چوٹی کی مکمل چوڑائی 2 nm اور Q=424.5 کے معیار کے عنصر کے ساتھ بہترین سپیکٹرل خصوصیات حاصل کیں۔

محققین کا خیال ہے کہ اس قسم کی آل ڈائی الیکٹرک گریٹنگ میں اعلی ساختی رنگ کی کوالٹی، کم نصف چوٹی مکمل چوڑائی، اور اعلیٰ معیار کا عنصر ہے، جو سینسنگ، ڈسپلے امیجنگ وغیرہ میں بہت اہمیت رکھتا ہے۔

آرٹیکل میں: Yuanhang Zhao et al.، ایک تنگ بینڈ اور اعلی معیار کے عنصر کے ساتھ ملٹی لیئرڈ آل ڈائی الیکٹرک گریٹنگ نظر آنے والا کلر فلٹر، آپٹکس ایکسپریس (2022)۔ DOI: 10.1364/OE.453155۔